
立体定向脑电图引导下射频热凝治疗发笑癫痫1例并文献复习
作者:廖莹烨,马凯
强,王雄飞,孙卫进,夏学巍,王梦阳,王静
,李天富,周健
,栾国明,关宇光,首都医科大学三博脑科医院
发笑性癫痫
发作是一种罕见的癫痫发作类型,发作特点为无诱因的刻板发笑,并且不受控制。以往普遍认为发笑性癫痫与下丘脑错构瘤相关,近年来多项研究发现颞叶、额叶、前扣带回、丘脑、苍白球及岛叶也与发笑有关,非下丘脑错构瘤发笑发作的致痫灶部位多变,定位困难。立体定向脑电图
(stereoelectroencephalography,SEEG)技术的发展,使得非下丘脑错构瘤发笑发作的致痫灶定位进一步提升。
SEEG是一种通过微创植入颅内电极描记大脑深部放电的工具,其提高了对癫痫放电的三维空间和时间的精确性,通过研究症状学、脑电图在脑内不同位置的演变来分析致痫网络,是目前定位癫痫致痫灶的“金标准”。本研究通过回顾性分析首都医科大学三博脑科医院神经外科2023 年8 月收治的1例在机器人引导下SEEG 电极植入的发笑性癫痫患儿的临床资料,探讨SEEG 在非下丘脑错构瘤所致的发笑癫痫中的应用。
1.资料与方法
1.1 一般资料
患儿男,6 岁,体质量28 kg,因“发作性抽搐1 年余”于2023 年8 月入院。患者5 岁时无诱因出现发作,初起癫痫症状:(1)发笑发作,持续数秒后缓解,发病2 个月后再次出现发作,发作逐渐增多,每日均有2 ~3 次;(2)发病3 个月后出现第二种发作形式,表现为突然坐起,发笑,双眼凝视、呼之不应,持续十余分钟,每月1 ~2 次,多为睡眠中发作。
现口服奥卡西平
口服液5 mL,2 次/ d,吡仑帕奈片每晚4 mg,服用药物剂量在有效剂量范围内,服药后患者发作控制不佳,智力倒退明显,服用药物后2 h 内嗜睡明显。既往史、个人史、家族史无特殊异常。查体无特殊。头部核磁共振成像
(magnetic resonance imaging,MRI)示左颞叶皮层灰白质交界不清,局灶性皮层发育不良可能性大(图1 A C)。正电子发射计算机断层显像
/ 计算机断层扫描(positron emission tomography/ computed tomography,PET/ CT)示左颞前叶明显低代谢,且左侧颞上回低代谢区向颞后部延伸(图1 D F)。

图1 患儿术前影像学检查。A C:头部轴位MRI 的FLAIR 序列、T2WI 序列、T1WI 序列示左颞皮层灰白质交界不清(红色箭头指示); D F:PET-CT 影像轴位、矢状位、冠状位示左颞前叶明显低代谢,且左侧颞上回低代谢区向颞后部延伸(红色箭头指示)
1.2 颅内电极植入设计及毁损
患者为非下丘脑错构瘤发笑发作,根据解剖-电-临床分析,考虑颞叶为第一核心致痫灶,额叶及前扣带回为第二核心致痫灶,围绕两个核心假说设计电极植入方案,排除手术禁忌后在机器人引导下植入颅内电极,植入后行颅内视频脑电监测捕捉发作,明确致痫灶起源后行经皮层电极电刺激脑功能区(mapping)检查,分析致痫灶与功能区的关系。根据颅内脑电图结果及mapping 结果,予以致痫区毁损,先予以时长40 s、功率2 W 预毁损,观察患者毁损后无功能障碍,再予以时长90 s、功率3.5 W 正式毁损,毁损完毕后拔出颅内电极,复查头部CT 无出血。见图2。

图2 颅内电极植入示意图及电极植入路径。P:颞极外侧面-颞极内侧面; B:颞中回-海马头; C:颞中回-海马体; D:颞中回后部-扣带回峡部; F:颞上沟-岛叶后部腹侧; G:颞横回-第2 岛长回下部; J:额下回三角区-第1 岛短回; K:中央下回-第3 岛短回; N:顶上小叶-第1 岛长回; L:额下回-前额叶内侧面; I:额下回-前扣带回; Q:额中回-ACC-眶额回内侧面; O:额下回一眶额回额底一BA25 区下部
2. 结 果
患儿左侧颅内深部电极植入9 根电极,覆盖左侧额极、前岛叶、前颞叶等。术后视频脑电图监测,捕捉到8 次临床发作,包含两种发作形式。监测结果为间歇期出现癫痫样放电,F3 -6,B9 -12,P7 -9,J1 -3;B1 -3,C1 -3,D1 -3。
第1种发作形式为临床出现右上肢不动→左侧肢体复杂运动;脑电图(electroencephalogram,EEG) 为发作型,F3 - 5,J1 - 3,B9 -12,P7 -9→F8 - 10→D12 - 15。第二种发作形式为临床出现发笑发作;EEG 为发作型,J1 - 3→F2 - 5,B9 - 12,P6 -9。因患者存在两种发作形式,第一次颅内电极植入后提示发作起始点位于左颞前叶(F3 -5,B9 - 12,P7 - 9)及左前环岛沟(J1 -3),起始波形不典型,为进一步明确是否为前额底及扣带回起源,再次于额叶补植入4 根电极。
第二次植入电极后再次行视频脑电监测,监测结果显示,间歇期出现癫痫样放电,F3 -6,B9 -12,P7 -9,J1 -3,L4 -7。发作期临床出现微笑表情-右上肢活动减少-复杂运动;EEG 为发作型,J1 -3→F3 - 5,L4 - 7→B9 - 12,P7 - 9,F8 - 9,O10 - 14(图3B)。
根据两次SEEG 结果定位考虑癫痫灶定位于左侧岛叶前环岛沟(J1 -3)及左侧前颞叶电极位点(F3 -6、B9 -13、P7 - 10),考虑二者均有可能是癫痫起始区,为进一步鉴别,首先毁损前岛叶(J1 - 3),毁损后患者仍旧有癫痫发作。后进一步毁损左侧前颞叶电极位点(F3 - 6、B9 - 13、P7 -10)后,患儿无临床发作。出院后继续口服抗癫痫发作药物奥卡西平口服液5 mL,2 次/ d,吡仑帕奈片每晚4 mg ,术后4个月、6 个月随访患儿无癫痫发作。

图3 EEG 结果。A:术前发作期临床表现为发笑,双侧非对称性强直(右著)→自主神经症;EEG 为发作型,脑区性、左侧颞、额区著; B:术后发作期临床表现为微笑表情-右上肢活动减少-复杂运动,EEG 为发作型,J1 -3—F3 -5,L4 -7—B9 -12,P7 -9,F8 -9,O10 -14
来源:廖莹烨,马凯强,王雄飞,等.立体定向脑电图引导下射频热凝治疗发笑癫痫1例并文献复习[J].临床神经外科杂志,2025,22(02):230-232+236.